SiC单晶切割过程中接触弧长建模与实验

发布时间：2017-06-22 04:12

  本文关键词：SiC单晶切割过程中接触弧长建模与实验，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：Si C单晶具有良好的物理和机械性能,广泛应用于大功率器件和集成电路行业,但因高的硬度和脆性,使其切割、研磨和抛光加工过程成为难点。在固结金刚石磨粒的线锯切割Si C单晶过程中,由于受各种因素的影响,使得切割力呈动态变化,而影响切割力的直接因素就是工件与线锯之间的接触弧长。根据线锯和工件的运动过程,分析接触弧长产生的过程,建立往复式线锯切割过程中接触弧长的数学模型,并对该过程中实验和仿真产生的误差进行了分析。以单颗磨粒的切深为基础,确定模型中的切削深度。仿真和实验结果表明,建立的模型可以较准确地预测不同工艺参数下的接触弧长。
【作者单位】： 西安理工大学机械与精密仪器工程学院;
【关键词】： 机械制造工艺与设备 SiC单晶 材料去除 建模 预测
【基金】：国家自然科学基金项目(51175442) 陕西省机械装备重点实验室基金项目(14JS061)
【分类号】：TN305.1
【正文快照】： 0引言Si C单晶具有优良的物理特性,广泛应用于大功率装置和IC领域。而Si C单晶的莫氏硬度约为9.2,仅低于天然金刚石,其弯曲强度低于其压缩强度[1],故表现为脆性,因此Si C单晶的加工非常困难。Si C单晶旋转切割过程实际上是一种线锯表面磨粒与工件表面的磨削加工,最终的加工表

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1 陈世杰;亚固结磨料线锯切割过程磨粒运动状态实验研究[D];浙江工业大学;2011年

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本文编号：470708