一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法

发布时间：2017-06-22 07:08

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【摘要】：采用点缺陷线性分布模型,利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法.用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品,用Srikant方法拟合得到了位错密度.结果表明两种方法高度一致.进一步的研究表明,新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致,相关拟合参数与采用Rode迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致.研究还表明,新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响,测试剔除界面层影响后的整个外延层的刃、螺位错密度,而不是穿透位错密度.该方法适合霍尔迁移率曲线峰位在200 K左右及以下并且峰位明确的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜和体材料,具有对迁移率曲线高度拟合,材料参数精确,计算简便、收敛速度快等优点.
【作者单位】： 南昌大学科学技术学院;南昌大学材料科学与工程学院;上饶职业技术学院机械工程系;南昌大学现代教育技术中心;
【关键词】： 氮化镓 霍尔迁移率 位错密度 Rode迭代法
【基金】：江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066) 南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题~~
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 1引言 氮化镓(Ga N)是制备工艺成熟、性能优异、应用广泛的第3代半导体材料,但通常位错密度高达108—1010cm-2,会导致器件漏电流提高、少数载流子寿命缩短,成为杂质迅速扩散的途径,制约了Ga N基发光器件的性能[1],因此,对Ga N材料中各种类型位错密度的测试长期以来都是国内外

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本文编号：470997