片上制备横向结构ZnO纳米线阵列紫外探测器件

发布时间：2017-06-23 22:07

  本文关键词：片上制备横向结构ZnO纳米线阵列紫外探测器件，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：将纳米技术与传统的微电子工艺相结合,片上制备了横向结构氧化锌(Zn O)纳米线阵列紫外探测器件,纳米线由水热法直接自组织横向生长于叉指电极之间,再除去斜向的多余纳米线,其余工艺步骤与传统工艺相同.分别尝试了铬(Cr)和金(Au)两种金属电极的器件结构:由于Cr电极对其上纵向生长的纳米线有抑制作用,导致横向生长纳米线长度可到达对侧电极,光电响应方式为受表面氧离子吸附控制的光电导效应,光电流大但增益低,响应速度慢,经二次电极加固,纳米线根部与电极金属直接形成肖特基接触,光电响应方式变为光伏效应,增益和速度得到了极大改善;由于Au电极对其上纵向生长的纳米线有催化作用,导致溶质资源的竞争,相同时间内横向生长的纳米线不能到达对侧,而是交叉桥接,但却形成了紫外光诱导的纳米线间势垒结高度调控机理,得到的器件特性为最优,在波长为365 nm的20 mW/cm~2紫外光照下,1 V电压时暗电流为10~(-9)A,光增益可达8×10~5,响应时间和恢复时间分别为1.1 s和1.3 s.
【作者单位】： 北京工业大学微电子学院;
【关键词】： 紫外探测器 ZnO纳米线阵列 横向生长 光生载流子
【基金】：国家自然科学基金(批准号:11204009) 北京市自然科学基金(批准号:4142005) 科研基地建设-科技创新平台-空气质量环境监测与大数据处理(批准号:JJ002790201502)资助的课题~~
【分类号】：TN23;TB383.1
【正文快照】： 统的Zn O纳米线阵列结构器件的制作大部分是基1引言于垂直生长的Zn O纳米线阵列,但是垂直结构的纳米器件不仅不能充分利用纳米线比表面积大的Zn O由于具有大的禁带宽度(Eg=3.37 eV),特点,还存在纳米线之间绝缘物质填充、电极的制在紫外光电探测器件方面具有较好的应用前景,而

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本文编号：476418