一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析

发布时间：2017-06-26 10:01

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【摘要】：运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10~(12)~8.0×10~(12) cm~(-2),器件弥散特性最佳。
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;
【关键词】： 内线转移CCD 弥散特性 横向抗晕 数值模拟
【分类号】：TN386.5
【正文快照】： 0引言内线转移CCD以其易于小型化的特点而广泛用于安防、机器视觉等领域。内线转移CCD的像元主要由光敏区与垂直CCD构成,入射光照射在光敏区时产生的载流子或者入射光的一部分“泄漏”至邻近垂直埋沟,这种现象称为弥散。值得注意的是,无论是高于饱和光照入射还是低于饱和光照

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