单晶SiC基片的铜基研磨盘加工特性研究!

发布时间：2017-06-27 04:06

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【摘要】：采用铜基螺旋槽研磨盘对6H SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大。研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生。在达到最佳表面粗糙度时,C面加工所需的转速比Si面大。磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用粒度尺寸3μm的金刚石磨料比采用粒度尺寸1μm的金刚石效果好,经粒度尺寸3μm的金刚石磨料研磨加工5 min后,Si面从原始粗糙度Ra130 nm下降到Ra5.20 nm,C面下降到Ra5.49 nm,表面质量较好。
【作者单位】： 广东工业大学机电工程学院;
【关键词】： H SiC基片 金刚石磨料 铜基研磨盘 表面质量
【基金】：国家自然科学基金(51375097和51305082) 广东省自然科学基金重点项目(2015A030311044)
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 单晶Si C是继Ge和Si之后发展起来的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高和抗辐射能力强等优点,常被用于高温高频、大功率、抗辐射及光电集成等器件的制造中,是一种理想的衬底材料,广泛用在航空航天、雷达、通信系统等极端环境中[1]。单晶Si C应用于外

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