双极结型晶体管的集电结反向雪崩击穿特性

发布时间：2017-06-27 09:00

  本文关键词：双极结型晶体管的集电结反向雪崩击穿特性，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：通过气体放电产生更高浓度的低温等离子体要求具有纳秒上升沿和纳秒脉宽的高重频快脉冲,而目前被广泛使用的MOSFET和IGBT都无法满足这些参数要求,而双极结型晶体管(BJT)的集电极与发射极之间的雪崩击穿过程具有快导通、快恢复、高稳定性等优点,适合作为小型Marx发生器的自击穿开关。文中对用多种型号的BJT进行击穿特性比较测试实验,发现可以通过改变BJT的门极和发射极的并联电阻来调节其雪崩击穿电压,实现一定范围的工作电压。雪崩击穿恢复特性实验表明,当击穿电流衰减到低于维持电流时,BJT就会开始恢复绝缘而关断,通过改变电路中的参数以控制击穿电流的变化就可以控制BJT的雪崩击穿导通时间(即导通脉宽)。将这些结论应用到实际电路中,可获得上升沿5ns、脉宽为10ns、幅值2kV、重复频率高达100kHz的纳秒快脉冲,可用于激发高浓度低温等离子体。
【作者单位】： 上海理工大学光电信息与计算机工程学院;
【关键词】： 双极结型晶体管 脉冲功率 雪崩击穿 Marx发生器 快脉冲
【基金】：上海市自然科学基金项目(13ZR1428100) 上海市科技英才扬帆计划项目(15YF1408300)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 近年来低温等离子体在很多工业领域的应用越来越广泛,比如材料表面改性[1]、废水废气处理[2]、准分子激光器[3]、臭氧发生[4]、等离子体显示屏[5]等,而产生低温等离子体的最常用的方法就是高压气体放电,而脉冲放电更容易产生高浓度的低温等离子体,尤其是具有快速上升沿的高压

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本文编号：489154