高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能影响研究

发布时间：2017-06-29 06:07

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【摘要】：为了研究高温贮存对GaAs光电阴极光电发射性能的影响,以2只GaAs光电阴极像增强器为研究对象,参照美军标MIL-STD-810F规定,对它们分别进行了70℃、48 h高温贮存实验。在实验过程中间隔一定时间测量一次其光电阴极灵敏度,随后利用Matllab软件和量子效率公式,计算了GaAs光电阴极参数,拟合了量子效率曲线。结果表明,GaAs光电阴极在70℃经过3~4 h贮存后,GaAs体材料与Cs-0表面层材料形成的光电发射层将达到稳定结构。研究成果为高性能GaAs光电阴极像增强器研制提供了技术支撑。
【作者单位】： 微光夜视技术重点验室;
【关键词】： 高温贮存 砷化镓光电阴极 量子效率 灵敏度
【基金】：重点实验室基金项目(批准号:BJ2014004)
【分类号】：TN144
【正文快照】： 具有负电子亲和势(NEA)的GaAs光电阴极是当前三代微光像增强器的核心部件,其光电发射性能已得到了很大提高,光电阴极灵敏度已达到2100fjLA/lm以上⑴。众多从业者对GaAs光电阴极光电发射特性以及稳定性等方面已开展了大量研究工作[2-7]。由于GaAs光电阴极像增强器应用时不可避

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：496810