瞬态电压抑制二极管的概述和展望

发布时间：2017-06-29 19:11

  本文关键词：瞬态电压抑制二极管的概述和展望，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。
【作者单位】： 中国科学院大学中国科学院微电子研究所中国科学院硅器件技术重点实验室;
【关键词】： 瞬态电压抑制二极管 TVS 研究现状
【基金】：国家自然科学基金(61404169;61404161)
【分类号】：TN31
【正文快照】： 瞬态电压和浪涌常出现在在整机和系统中,造成整机和系统中的半导体器件被烧毁或击穿。在半导体器件应用早期,它们并没有被重视,直到1961年贝尔实验室才开始进行瞬态电压对半导体器件损害的研究,工业上也是上世纪70年代才开始对此关注。1研究背景造成瞬态电压和浪涌的原因主要

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1 郭远东;李雪玲;;TVS管失效原因分析[J];环境技术;2013年04期

2 肖敏;曾祥斌;袁德成;孙树梅;;工艺参数对TVS器件电性能的影响[J];电力电子技术;2007年06期

3 ;[J];;年期

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本文编号：498995