电子技术中太赫兹固态电子器件与电路的探讨

发布时间：2017-07-01 07:03

  本文关键词：电子技术中太赫兹固态电子器件与电路的探讨，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：微电子技术的发展带动了半导体器件的发展,半导体器件的进步促使器件截止频率得到飞速提升,目前已达到太赫兹频段,这使得基于固态器件的太赫兹电路频率特性也随之发展到太赫兹频段。本文重点阐述了太赫兹电路的发展概况,详细概述了InP基双极器件和场效应器件频率特性、应用,以及太赫兹电路在系统中实际应用中的发展现状和展望。
【作者单位】： 吉林大学;
【关键词】： 电子技术 太赫兹固态 电子器件与电路
【分类号】：TN322.8;TN386
【正文快照】： 引言 太赫兹频段的频率范围是0.1THz~10THz,对应波长是30μm~3mm,其最大特点是波长短、透过率强、带宽大等,在许多重要科技领域有着广泛的应用,如军事、安检成像、生物医药、通信及空间技术等领域。下面从三端固态电子器件电路和基于肖特基二极管的太赫兹固态电子器件电路这

  本文关键词：电子技术中太赫兹固态电子器件与电路的探讨，由笔耕文化传播整理发布。

，

本文编号：504917