硅基超疏水跨尺度微纳结构的制备

发布时间：2017-07-02 14:03

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【摘要】：提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列。建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对衍射干涉形成的光强分布进行理论分析;通过衍射干涉光刻技术制备出跨尺度微纳光刻胶阵列。最后用ICP-Bosch干法刻蚀工艺,将跨尺度光刻胶结构转移到硅基底上,制备出高深宽比硅管状结构,其顶部是跨尺度微纳锥形结构,利用接触角测量仪对制备的样品表面的浸润性能进行了测试,测试结果表明该跨尺度微纳结构达到超疏水性能。
【作者单位】： 九江学院机械与材料工程学院;
【关键词】： 衍射干涉 理论分析 跨尺度结构 ICP-Bosch工艺 超疏水性能
【基金】：江西省青年科学基金资助项目(20151BAB216019) 九江学院重点资助项目(2015LGZD04)
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言近年来,超疏水表面润湿性能引起了国内外研究人员的普遍关注。超疏水表面,一般是指其与水的接触角大于150°,滚动角小于10°。自然界中很多植物叶如荷叶和水稻叶等的表面,水滴落上其表面之后都会马上滚落,且不留下痕迹,这就是所谓的“荷叶效应”[1-3]。基于荷叶效应制作

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