基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路

发布时间：2017-07-03 02:03

  本文关键词：基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路

  更多相关文章： In-Zn-O薄膜晶体管 高速行集成驱动电路 输入级复用 电容耦合效应

【摘要】：本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级的1/3,该结构适用于高速驱动电路.电路内部产生了三次电容耦合效应,每一次电容耦合效应都可以提高相应节点的电压,保证了信号完整传输.输出级采用了一个二极管接法的薄膜晶体管,该薄膜晶体管连接了输出级的控制信号和上拉薄膜晶体管的栅极,利用的每一级输出级输出时所产生的电容耦合效应,增加上拉薄膜晶体管的栅极电压,有效地提高电路输出能力和工作速度.仿真表明电路能够输出脉宽达到4μs速度.最后成功地制作了10级行集成驱动电路,包括10级输入级电路和30级输出级电路,负载为R=10k?和C=100pF,实验结果验证,该电路满足4k×8k显示屏在120 Hz刷新频率下的驱动需求.
【作者单位】： 广州新视界光电科技有限公司;华南理工大学电子与信息学院;华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室;
【关键词】： In-Zn-O薄膜晶体管 高速行集成驱动电路 输入级复用 电容耦合效应
【基金】：国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2015CB6500) 国家自然科学基金(批准号:61204089) 广东省自然科学基金(批准号:S2012010008648,2014A030310253) 广东省科技厅科技计划项目(批准号:2013B090500015) 广州市珠江科技新星项目(批准号:201506010015) 中国博士后科学基金(批准号:2015M572313) 中央高校基本科研业务费(批准号:2015ZM072;2015ZM070)资助的课题~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 1引言平板显示领域中,AMOLED[1]和AMLCD[2]显示器最引人注目,大尺寸、高分辨率目前是国内外关注的平板显示领域的重点,薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)技术是实现大尺寸、高分辨率显示的关键[36].大尺寸、高分辨率的显示屏中:显示屏行选通时间非常短,如4 k电视在60 Hz的

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9 叶如华;国外薄膜晶体管研究工作进展[J];发光与显示;1980年01期

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本文编号：511969