铝栅去除速率控制机理

发布时间：2017-07-04 03:08

  本文关键词：铝栅去除速率控制机理

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【摘要】：后形成栅极(RMG)化学机械抛光(CMP)是实现高k介质/金属栅的关键,决定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性与抑制电化学腐蚀是RMG平坦化抛光液的核心挑战。通过研究氧化剂、FA/OⅡ螯合剂和SiO_2磨料之间的配比,来控制自钝化、络合溶解及传质三个过程的动态平衡,实现高去除速率及速率可控性。实验结果表明,氧化剂体积分数和FA/OⅡ螯合剂体积分数之比为4∶3、SiO_2磨料质量分数为24%时,铝栅CMP的自钝化、络合溶解及传质三个过程之间基本达到平衡,获得了较高的去除速率和较佳的表面粗糙度,分别为286.2 nm/min和12.83 nm。按照该比例成倍加入三种化学试剂,达到了速率可控的目的。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;
【关键词】： 后形成栅极(RMG) 铝栅 化学机械抛光(CMP) 去除速率 抛光液
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) 河北省教育厅基金资助项目(QN2014208)
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 0引言晶体管的尺寸与功能完善性直接影响芯片的集成度与性能,随着CMOS晶体管器件尺寸按照摩尔定律比例不断缩小,为获得高性能、低功耗、高集成度的晶体管器件,45 nm及以下的CMOS制造工艺已采用高k介质/金属栅(HKMG)结构,代替了SiON/多晶硅栅结构。制备HKMG结构的关键技术是后

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本文编号：516101