新型忆阻细胞神经网络的建模及电路仿真

发布时间：2017-07-05 00:18

  本文关键词：新型忆阻细胞神经网络的建模及电路仿真

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【摘要】：作为继电阻、电容、电感三大电路基本元件外的第四类电路元件忆阻器,可模拟大脑突触神经网络的存储记忆功能。构建一个传统三维细胞神经网络,利用磁控忆阻器的非线性特性替换传统细胞神经网络的输出模块。采用Multisim通用电路元件构建磁控忆阻等效电路,在电路整体设计上简化了输出函数模块数量,与具有混沌行为的CNN系统相比,新型忆阻CNN电路不仅展现出了混沌吸引子现象,而且忆阻内部的磁能量随细胞状态而变化,可完全达到等效输出函数的忆导值。数值计算与电路仿真结果验证了忆阻细胞神经网络的混沌特性及新设计方法的可行性,在信号处理、同步控制与图像加密等方面具有现实的应用价值。
【作者单位】： 江西理工大学信息工程学院;
【关键词】： 细胞神经网络 忆阻器 混沌 分段线性 电路仿真 保密通信
【基金】：国家自然科学基金(11062002;61363076) 江西省自然基金(20142BAB207020) 江西省教育厅科技项目(GJJ150621;GJJ14439) 江西省研究生创新专项资金(YC2014-S368)
【分类号】：TN702;TP183
【正文快照】： 引言1971年,美国华裔教授蔡少棠(Chua)根据电路变量完备性理论首次提出了忆阻器(Memristor)[1],创造性地将磁通和电荷关系通过该新型元件有机联系起来,这是继电阻、电容、电感三大电路基本元件外的第四类电路元件。2008年美国惠普(HP)实验室Strukov等利用钛的氧化物薄膜,成功

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本文编号：519887