基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计
发布时间:2017-07-06 18:23
本文关键词:基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计
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【摘要】:RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移。文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0~180°步进22.5°的相移功能。通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V。仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 d B,回波损耗小于-25 d B,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能。
【作者单位】: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心;
【关键词】: RF MEMS开关 微电子机械系统 Ka波段 移相器
【基金】:国家863计划资助项目(2013AA041101)
【分类号】:TN623
【正文快照】: 0引言微波和毫米波移相器在相控阵天线的电信部件和雷达中是必不可少的应用,随着近年来MEMS技术的发展,与基于铁氧体材料,PIN二极管或场效应晶体管(FET)开关移相器相比,RF MEMS移相器具有宽频带、高线性度、损耗小和超小型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,因此RF MEMS移
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