第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展

发布时间：2017-07-07 07:12

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【摘要】：第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出更加成熟的SiC晶体生长设备的重要性。
【作者单位】： 广东省机械研究所;
【关键词】： 第三代半导体 SiC晶体 SiC晶体生长设备 SiC晶体生长工艺
【基金】：广东省科技计划资助项目(编号:2014B070706031)
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 半导体产业的发展先后经历了以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,以砷化镓(Ga As)为代表的第二代半导体材料,以碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N)为代表的第三代半导体材料[1]。相比第一、二代半导体材料,碳化硅(Si C)晶体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高

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6 杨波;Cd_（1-x）Mn_xTe的晶体生长、性能表征及In掺杂研究[D];西北工业大学;2007年

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本文编号：529231