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基于活性层掺杂的有机薄膜晶体管制备及其介电层修饰的研究

发布时间:2017-07-08 06:13

  本文关键词:基于活性层掺杂的有机薄膜晶体管制备及其介电层修饰的研究


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【摘要】:当今时代科学技术发展日新月异,科研领域和发明成果不断推陈出新,有机薄膜晶体管技术因其轻便化、集成化、节能化、高效能将成为未来发展主流,正受到人们越来越多的关注。有机薄膜晶体管的技术研究以高性能为攻坚目标,有机材料技术的衍生性和可能性使其拥有巨大的可能性,因此本文的主要工作是探究通过传统工艺技术和新型有机薄膜材料制备高性能有机薄膜晶体管。本文主要内容,首先研究证明性能良好的活性层聚合物分子与小分子材料互相掺杂制备有机薄膜器件,当掺杂浓度合适时器件性能可以得到迁移率两个数量级提升,开关比一个数量级提升,推出了小分子和聚合物掺杂成膜的模型来解释出掺杂薄膜表面形貌随浓度影响器件载流子迁移率等器件性能。其次详细研究有机薄膜器件活性层在不同退火条件下对有机薄膜晶体管器件性能和表面形貌的影响。得到小分子材料在高温下快速退火制备的器件拥有更平整的薄膜从而促进载流子的传输,电学性质较高,同时随着退火时间增加性能减弱;聚合物材料退火时热稳定性更高,在不同退火下电学性质变化不大。最后研究了三种常见的绝缘层材料包括OTS、PMMA与PS,经测试未经过修饰器件迁移率仅为0.0009cm2/Vs,开关比100,加入OTS和PMMA修饰绝缘层后,器件性能提高,且三种栅介电层材料均可以改善界面间成膜形貌,提升载流子传输,从而得到提升电学性能。同时证明了良好的半导体层与绝缘层之间的界面形貌会极大提高器件性能,通过改善栅介电层的成膜平整度与粗糙度可以有效提升其上活性层的成膜形貌。
【关键词】:有机薄膜器件 晶体管 活性层掺杂 绝缘层
【学位授予单位】:南京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN321.5
【目录】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-7
  • 第一章 绪论7-17
  • 1.1 引言7-8
  • 1.2 有机薄膜器件的最新进展8-9
  • 1.3 有机薄膜晶体管9-15
  • 1.3.1 有机薄膜晶体管的发展历程9-10
  • 1.3.2 有机薄膜晶体管的基本结构10-11
  • 1.3.3 有机薄膜晶体管的工作原理11-12
  • 1.3.4 有机薄膜晶体管的性能指标与计算12
  • 1.3.5 有机薄膜晶体管的主要材料12-15
  • 1.4 课题的提出及研究意义15-17
  • 第二章 基于活性层掺杂的有机薄膜晶体管制备17-32
  • 2.1 引言17-18
  • 2.2 有机薄膜晶体管的制备18-23
  • 2.2.1 药品及仪器设备18-19
  • 2.2.2 器件结构19-21
  • 2.2.3 制备工艺流程21-23
  • 2.3 性能测试23-28
  • 2.3.1 活性层不同比例掺杂下测试结果25-27
  • 2.3.2 不同比例掺杂下结晶形貌的分析27-28
  • 2.4 活性层退火方式对器件性能的影响28-31
  • 2.4.1 制备工艺流程与分析28-29
  • 2.4.2 不同退火方式下制备的器件性能分析29-30
  • 2.4.3 不同退火方式下生长的活性层形貌分析30-31
  • 2.5 本章小结31-32
  • 第三章 有机薄膜晶体管绝缘层界面的修饰研究32-40
  • 3.1 自组装OTS的无机氧化物绝缘层界面修饰32-35
  • 3.1.1 器件结构33
  • 3.1.2 性能测试与分析33-35
  • 3.2 绝缘材料PMMA的绝缘层界面修饰35-36
  • 3.2.1 器件结构35
  • 3.2.2 性能测试与分析35-36
  • 3.3 绝缘材料PS的绝缘层界面修饰36-38
  • 3.3.1 器件结构37
  • 3.3.2 性能测试与分析37-38
  • 3.4 本章小结38-40
  • 第四章 总结与展望40-41
  • 参考文献41-46
  • 附录1 攻读硕士学位期间申请的专利46-47
  • 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目47-48
  • 致谢48-49

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本文编号:533293

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