一种可变门极电阻的大功率IGBT驱动

发布时间：2017-07-14 04:19

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【摘要】：通过分析大功率IGBT寄生参数及主功率回路寄生参数对IGBT驱动的影响,提出了一种基于可变门极电阻的驱动电路,提高了驱动模块的产品兼容性,实现了驱动器对IGBT开关特性的精确控制,有效抑制开关过程中由于di/dt引起的电压尖峰。最后在Sabor中搭建了型号为FZ1500R33HE3的大功率IGBT的仿真模型,并进行仿真分析;通过搭建实物平台进行了双脉冲实验。仿真和实验结果表明,该驱动电路具有可行性。
【作者单位】： 深圳市航天新源科技有限公司;哈尔滨工业大学深圳研究生院;深圳航天科技创新研究院;
【关键词】： 大功率IGBT驱动 可变门极电阻 低纹波噪声
【基金】：中国航天科技集团公司科技创新研发项目(天科研[2013]1047) 国家国际科技合作计划资助项目(2010DFB63050) 深圳市电力电子与电力传动重点实验室资助项目(ZDSYS20140509151953007)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种复合型的功率半导体器件,由于其功耗低、电流容量大、开关频率较高,在大功率变换器中得到越来越广泛的应用。随着IGBT在柔性直流输电、电力机车、高铁等领域的深入发展,其耐用程度和使用寿命关系到整个系统的可靠性m。 众所周知,IGBT的门极

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本文编号：539644