美国伊利诺伊大学研究出GaN热管理新方法

发布时间：2017-07-17 07:08

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【摘要】：正美国伊利诺伊大学研究团队在美国空军科学研究实验室青年研究人员计划的资助下,研究出一种简单、低成本的氮化镓(GaN)器件冷却方法,成果已发布在应用物理快报。研究背景GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高,可承受的工作温度更高(~
【关键词】： 伊利诺伊大学;GaN;美国空军;应用物理;氮化镓;管理新方法;青年研究;功率密度;硅晶体;研究实验室;
【分类号】：TN325
【正文快照】： 美国伊利诺伊大学研究团队在美国空军科学研究实验室青年研究人员计划的资助下,研究出一种简单、低成本的氮化镓(GaN)器件冷却方法,成果已发布在应用物理快报。研究背景GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高,可承受的工作温度更高(~500℃),但与所有半导体器件一样,GaN晶体管也

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