调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响

发布时间：2017-07-20 18:17

  本文关键词：调制损耗对硅基MZI结构光调制器非线性特性的影响

  更多相关文章： 硅光子学 光调制器 非对称马赫-曾德干涉仪结构 非线性 光通信

【摘要】：针对基于马赫-曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题,采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型,通过数值仿真方法,研究了上下两臂对称和不对称两种情况下,调制损耗对硅基光调制器非线性的影响.对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型,发现在常规大信号情况下,当光调制器偏置相位为0时,调制损耗使得三次谐波增强,四次谐波减弱;当光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗使得二次和四次谐波增强;而在小信号情况下,三次和四次等高次谐波不明显,在光调制器偏置相位为0时,调制损耗在光调制器上下两臂不对称情况下增加了基频分量串扰;在光调制器偏置相位为π/2时,调制损耗的影响主要表现为增加了二次谐波分量.
【作者单位】： 上海第二工业大学计算机与信息工程学院;上海第二工业大学文理学部;湖南师范大学物理与信息科学学院;
【关键词】： 硅光子学 光调制器 非对称马赫-曾德干涉仪结构 非线性 光通信
【基金】：上海第二工业大学校基金项目(Nos.EGD14XQD03;EGD14XQD01;EGD16XQD07);上海第二工业大学校级重点学科(No.XXKZD1302) 湖南省自然科学基金(No.11JJ6053)资助~~
【分类号】：TN761
【正文快照】： 1-30032500引言硅光子学(Silicon Photonics)的出现和硅基光子器件的发展为实现光通信系统的高集成化和低功耗奠定了基础[1-4].硅基光调制器[5]是采用便于集成的硅基器件制作而成,可应用于光互联通信、甚至是传统意义的长距离光传输中.自2004年,Intel公司利用电容的载流子积累

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本文编号：569362