高深宽比的TSV制作与填充技术

发布时间：2017-07-26 13:39

  本文关键词：高深宽比的TSV制作与填充技术

  更多相关文章： 硅通孔 ICP刻蚀 LPCVD 重掺杂多晶硅 高深宽比

【摘要】：硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心;中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司;
【关键词】： 硅通孔 ICP刻蚀 LPCVD 重掺杂多晶硅 高深宽比
【基金】：国家863计划项目(2013AA041101)
【分类号】：TN405.97
【正文快照】： 近年来,MEMS器件正朝着高集成度、微型化、多功能、低功耗等方向发展,对传统的封装方式提出了新的挑战。将不同功能的多个平面器件层进行堆叠,然后通过硅通孔技术(■Hirough Silicon Via, TSV)制作垂直互连的通孔,实现不同芯片间的电互连。这种3D封装工艺的出现,能够大大减小

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 胡志富;王生国;何大伟;蔡树军;;微波单片电路中通孔的建模[J];半导体技术;2008年03期

2 邓文璋;;电镀通孔开路问题的分析和改善[J];印制电路信息;2013年02期

3 裴颂伟;黄河;何旭曙;鲍苏苏;;通孔对金属连线温度分布的影响[J];微电子学;2006年04期

4 Jan Vardaman;;3-D贯穿硅通孔变成现实[J];集成电路应用;2007年08期

5 江清明;周继承;杨春晖;章晓文;;互连铝通孔电迁移特征及其可靠性研究[J];半导体技术;2007年10期

6 Jan Provoost;Eric Beyne;;穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑[J];集成电路应用;2009年Z2期

7 杨智勤;欧阳小平;张曦;陆然;林健;;通孔电镀铜填孔浅析[J];印制电路信息;2012年01期

8 肖胜安;程晓华;吴智勇;许升高;季伟;何亦骅;;一种金属填充硅通孔工艺的研究[J];固体电子学研究与进展;2012年02期

9 刘培生;黄金鑫;仝良玉;沈海军;施建根;;硅通孔技术的发展与挑战[J];电子元件与材料;2012年12期

10 翟硕;;导通孔填充简介[J];印制电路信息;2008年11期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 庞钧文;王s，

本文编号：576695