基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计

发布时间：2017-07-28 20:22

  本文关键词：基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计

  更多相关文章： 倒装芯片 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs PHEMT开关建模 倒装互连结构

【摘要】：基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC~26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试。测试结果表明,回波损耗大于15 d B,插损小于2.8 d B,隔离度大于28 d B。最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【关键词】： 倒装芯片 单刀双掷(SPDT)开关 GaAs PHEMT开关建模 倒装互连结构
【分类号】：TM564;TN402
【正文快照】： 0引言在微波系统信号传输过程中,Ga As单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)开关是一种很关键的微波电路控制器件,不管是对单一通路上电路通断的控制,还是雷达多波束扫描中不同信道的转换控制,都有十分广泛的应用,因此本文设计了一款DC~26 GHz的单

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本文编号：585866