石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

发布时间：2017-07-30 02:00

  本文关键词：石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

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【摘要】：以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。
【作者单位】： 华北电力大学新能源电力国家重点实验室;常州英诺能源技术有限公司;
【关键词】： 石墨 籽晶层 择优取向 退火
【基金】：北京市自然科学基金资助项目(2151004) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(13ZD05)
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 0引言为了应对传统能源短缺和环境恶化等问题,人们越来越重视可再生能源的研究和发展[1]。太阳能作为新能源的一种,以其取之不尽用之不竭且使用过程中不会污染环境为优点,近年来得到了迅猛的发展[2]。目前,光伏的研究重点是研制出成本低廉、性能稳定并且高效率的太阳能电池[3]

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本文编号：591987