AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析

发布时间：2017-08-04 18:06

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【摘要】：发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏。散热问题是制约LED微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED微阵列芯片在制备过程中亟待解决的问题之一。利用有限元分析软件,针对AlGaInP材料LED微阵列建立了有限元模型,详细介绍了实体模型建立、网格划分以及边界条件的施加方法。瞬态分析了在脉冲电流驱动下,单个单元和3×3单元工作时阵列的温度场分布,以及温度随时间的变化规律。为了改善阵列芯片的散热性能,设计了一种热沉结构,模拟分析了热沉结构对阵列温度分布的影响。
【作者单位】： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;中国科学院大学;
【关键词】： 光学器件 热学特性 有限元分析 发光二极管微阵列 热沉 AlGaInP
【基金】：国家自然科学基金(61274122) 吉林省科技发展项目(20100351,20120323) 长春市科技发展计划项目(12ZX21)
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言发光二极管(LED)作为一种自主发光光源,具有发光效率高、响应速度快,耗能低、性能可靠稳定等优点[1]。LED实现了电能向光能的转换,它发出的光来自于载流子在有源区的复合,LED的各层材料都会吸收一部分从有源区辐射跃迁产生的光,光在各层材料间的多次反射大大延长了其在LE

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