基于预取和缓存原理的片上Flash加速控制器设计

发布时间：2017-08-11 00:06

  本文关键词：基于预取和缓存原理的片上Flash加速控制器设计

  更多相关文章： Flash 位宽扩展 预取 分支缓存 高速缓存 可配置 自适应

【摘要】：为了提高片上Flash在嵌入式应用中的读取速度,提出了一种基于预取和缓存原理的片上Flash加速控制器。该控制器包括预取缓存和高速缓存两种加速方案。其中预取缓存方案采用位宽扩展和预取技术加速顺序指令的读取,并采用分支缓存存储非顺序指令,降低由非顺序指令造成的预取缺失代价;而高速缓存方案采用组相联和路预测技术,提高指令重用率,减少Flash访问次数,降低系统功耗。针对不同的应用场景,两种加速方案既可通过寄存器来静态切换,也可通过软件流程来自适应动态切换,从而获得最佳的读取速度提升。多项基准程序的测试结果表明了所提出的片上Flash加速控制器在性能和功耗优化上的可行性和高效性。
【作者单位】： 浙江大学超大规模集成电路研究所;杭州朔天科技有限公司;飞思卡尔半导体(中国)有限公司上海分公司;
【关键词】： Flash 位宽扩展 预取 分支缓存 高速缓存 可配置 自适应
【基金】：浙江省自然科学基金(LY14F020026) 中央高校基本科研业务费专项资金(2013QNA5008) 国家电网智能电网研究院项目(SGRI-WD-71-13-014)
【分类号】：TN47
【正文快照】： 3.飞思卡尔半导体(中国)有限公司上海分公司,上海200120)通信地址:310012浙江省杭州市西湖区华星路99号东软创业大厦A408Address:Room A408,Dongruan Entrepreneure Building,99Huaxing Rd,Xihu District,Hangzhou 310012,Zhejiang,P.R.China1引言片上Flash作为指令和数据的非

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本文编号：653291