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均匀光栅DFB激光器光电特性研究

发布时间:2017-08-11 12:23

  本文关键词:均匀光栅DFB激光器光电特性研究


  更多相关文章: 分布反馈半导体激光器(DFB-LD) 光栅 耦合因子 成品率 边模抑制比(SMSR)


【摘要】:光栅结构的设计和制作直接决定了分布反馈(DFB)半导体激光器光电特性的优劣。采用传输矩阵法模拟了不同光栅耦合因子下随机相位对均匀光栅DFB芯片特性的影响,获得了芯片的光电参数分布。通过分析耦合因子对芯片光电参数分布的影响,提高了DFB芯片的成品率。设计并制备了基于Al Ga In As材料体系的脊波导DFB激光器,最终使芯片双峰比例仅为7.7%、成品率达到60%。对合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光谱进行了测试,结果表明芯片性能优良,芯片远场发散角为25°和21°。芯片的小信号频带响应和眼图测试结果表明芯片完全满足2.5 Gbit/s的应用要求。
【作者单位】: 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【关键词】分布反馈半导体激光器(DFB-LD) 光栅 耦合因子 成品率 边模抑制比(SMSR)
【分类号】:TN248.4
【正文快照】: 0引言分布反馈半导体激光器(distributed feedbacklaser diode,DFB-LD)由于其良好的单纵模和调制特性而成为光纤通信领域的理想光源。本文采用传输矩阵法[1]对光栅进行优化设计,得到了优化的光栅结构,优化了芯片的单模特性、提高了芯片成品率;采用模式扩展结构[2]优化了芯片的

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本文编号:656097

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