HgCdTe材料器件中的热处理技术

发布时间：2017-08-11 20:15

  本文关键词：HgCdTe材料器件中的热处理技术

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【摘要】：热处理技术在整个HgCdTe材料器件工艺中有着重要地位。在一定的热力学条件下对HgCdTe材料进行热处理,可通过原子的热运动,调整材料电学性能和掺杂原子的占位形态、降低材料缺陷密度,以达到改善HgCdTe材料器件性能的目的。从热处理与电学性能、热处理与缺陷密度、掺杂材料中的热处理技术以及器件工艺中的热处理技术等几方面进行了总结论述。
【作者单位】： 昆明物理研究所;
【关键词】： HgCdTe 热处理 位错密度 掺杂激活 电学性能
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言1959年Lawson等人发现了Hg1-xCdxTe半导体材料,该发现对近60年红外探测器的发展产生了重大影响[1]。碲镉汞材料是由具有负禁带的Hg Te和正禁带的Cd Te混合而成,它是具有直接带隙的(Hg Te)1-x(Cd Te)x膺二元化合物材料,其禁带宽度可随组分x的变化在0~1.6 e V范围内连续调

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1 张传杰;杨建荣;吴俊;魏彦峰;何力;;碲镉汞富汞热处理技术的研究[J];激光与红外;2006年11期

2 ;[J];;年期

，

本文编号：658048