化学机械抛光终点检测技术研究

发布时间：2017-08-12 06:25

  本文关键词：化学机械抛光终点检测技术研究

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【摘要】：化学机械抛光是晶圆全局平坦化的核心技术,其中有效的终点检测是影响抛光效果的关键。若不能有效地监测抛光过程,便无法避免晶圆抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP原理与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的多种应用方法及其优缺点。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十五研究所;
【关键词】： 晶圆 终点检测 平坦化 化学机械抛光
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 近年来,超大规模集成电路制造技术已经发展到了0.1μm和300 mm时代,特征线宽为0.1μm的技术也已经广泛应用。在2025年之前,20~14 nm工艺设备国产化率将达到30%,到2030年,实现450 mm工艺设备的国产化[1]。随着特征线宽的进一步微小化,对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求,

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本文编号：660183