硅基AlGaInP发光二极管激光加工工艺研究

发布时间：2017-08-12 15:16

  本文关键词：硅基AlGaInP发光二极管激光加工工艺研究

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【摘要】：采用半导体激光器制备了硅基AlGaInP发光二极管,研究了激光能量密度、重复频率及平台加工速度对加工效果的影响,利用电子显微镜等测试工具分析了经激光加工后的硅基LED芯片表面和侧面形貌等结构特性,获得了较优的加工参数。
【作者单位】： 扬州乾照光电有限公司;
【关键词】： 激光技术 LED芯片 固体激光器 激光加工 加工参数
【分类号】：TN312.8;TN249
【正文快照】： l引言 激光加工是一个复杂的过程,影响激光加工质量的因素有激光光束质量、激光模式、脉冲宽度、光斑大小、能量密度、焦距、重复频率、平台移动速度以及材料特性等[1]。当前用于加工发光二极管(LED)的激光器以纳秒级脉宽激光器为主,其中Sapphire基板蓝光LED以其显著的加工效

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本文编号：662258