金属氧化物TFT在数字集成电路中的应用研究
本文关键词:金属氧化物TFT在数字集成电路中的应用研究
更多相关文章: 金属氧化物薄膜晶体管 数字集成电路 行扫描集成电路 射频识别标签电路
【摘要】:薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在平板显示领域和传感器件领域应用非常广泛。新兴的金属氧化物(Metal Oxide,MO)TFT具有迁移率高,工艺简单,透明性好,低亚阈值摆幅及高开关比等优点,应用前景非常明朗,特别是在数字集成电路领域。本文首先对MO TFT器件性能进行研究,提取电学参数并拟合性能很好的软件模型,接着利用多个非门电路进行仿真及实验,验证模型的适用性。实验数据与仿真结果相符,软件模型适用于数字集成电路的设计。另外,新型改进设计的非门电路与传统电路相比,内部电流最小,输出摆幅最大,充电速度最快。在平板显示行业,利用TFT集成行扫描驱动电路,可以获得低成本、窄边框、信号均匀及可靠性高等优势。本文针对MO TFT,提出了三种驱动类型的行驱动集成电路:时钟控制反相器型、优化设计高速型及直流驱动输出模块型。通过理论计算、软件仿真及实物波形测试等分析方法,得到结果是:1)时钟控制反相器型电路拓扑简单,通过新型反相器和低频时钟设计降低功耗,占用面积少,对于外围驱动设计要求不高,实测10级电路功耗仅为380μW。此外,该电路成功应用于200(RGB)×600显示规格的AMOLED显示屏中。2)优化设计高速型电路运用了多重反馈设计使电路内部稳定,通过优化各个器件参数从而达到高速反应效果。通过时钟设计避免竞争冒险现象,整合充电和放电功能并充分利用多次耦合后的高压驱动,从而达到高速驱动效果,功耗较低,窄边框,实验测得20级电路顺利工作,48小时压力工作输出波形稳定,非常适用于高速驱动要求的显示规格中,例如帧频为120 Hz的4k(4096×2160)显示规格。3)直流驱动输出模块型电路通过利用直流电源与大尺寸的驱动TFT连接,有效减少电路中大的寄生电容耦合效应产生的功耗,一级电路功耗仅为8.71μW,应用于可持移动设备中,能有效延长产品的待机使用时间。最后,利用TFT集成数字电路并应用在射频识别(RFID)标签中是当今科研的热点。本文在玻璃基板上实现MO TFT集成RFID的各个电路模块,并搭建RFID标签的数字电路。在5V直流电压驱动下,电路内部时钟工作频率为2.8k Hz,输出的数据与存储数据匹配,输出信号高电平为3.2V。实验证实了MO TFT制备数字集成电路的能力,为MO TFT在数字集成方面更广阔的应用提供了一定的参考意义。
【关键词】:金属氧化物薄膜晶体管 数字集成电路 行扫描集成电路 射频识别标签电路
【学位授予单位】:华南理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN321.5;TN431.2
【目录】:
- 摘要5-6
- Abstract6-9
- 第一章 绪论9-22
- 1.1 引言9
- 1.2 金属氧化物TFT简介9-13
- 1.2.1 TFT发展介绍9-11
- 1.2.2 金属氧化物TFT11-13
- 1.3 MO TFT数字集成电路应用发展现状13-21
- 1.3.1 行驱动集成电路13-18
- 1.3.2 射频识别标签电路18-21
- 1.4 论文工作安排21-22
- 第二章 IZO TFT模型拟合与非门电路设计22-33
- 2.1 引言22
- 2.2 MO TFT仿真模型拟合22-26
- 2.2.1 镧系掺杂氧化铟锌TFT参数分析22-25
- 2.2.2 Hspice软件拟合模型25-26
- 2.3 IZO TFT非门电路设计26-32
- 2.3.1 非门电路拓扑设计与仿真26-30
- 2.3.2 非门电路实验测试30-32
- 2.4 本章小结32-33
- 第三章 有源显示行驱动集成电路33-55
- 3.1 引言33-34
- 3.2 时钟控制反相器型行驱动集成电路34-42
- 3.2.1 驱动电路原理34-36
- 3.2.2 电路分析与仿真36-39
- 3.2.3 实验结果与讨论39-42
- 3.3 优化设计高速型行驱动集成电路42-49
- 3.3.1 驱动电路原理42-44
- 3.3.2 电路分析与仿真44-47
- 3.3.3 实验结果与讨论47-49
- 3.4 直流驱动输出模块型行驱动集成电路49-54
- 3.4.1 驱动电路原理49-50
- 3.4.2 电路仿真与分析50-53
- 3.4.3 实验结果与讨论53-54
- 3.5 本章小结54-55
- 第四章 射频识别标签数字电路55-64
- 4.1 引言55
- 4.2 RFID标签数字电路模块55-61
- 4.2.1 D触发器55-57
- 4.2.2 计数器电路57-59
- 4.2.3 译码器电路59-60
- 4.2.4 时钟产生电路60-61
- 4.3 RFID数字标签61-63
- 4.4 本章小结63-64
- 结论64-65
- 参考文献65-69
- 攻读硕士学位期间取得的研究成果69-70
- 致谢70-71
- 答辩委员会对论文的评定意见71
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 ;数字集成电路设计培训课程和培训班设置[J];电子与电脑;2007年05期
2 佟立民;董文站;;数字集成电路性能检测的几种方法[J];黑龙江气象;2008年S1期
3 毛松;;同步数字集成电路设计中的时钟偏移分析[J];数字技术与应用;2012年07期
4 张娓娓;张月平;吕俊霞;;常用数字集成电路的使用常识[J];河北能源职业技术学院学报;2012年03期
5 吕晓春;;数字集成电路设计理论研究[J];就业与保障;2012年12期
6 垂井康夫;数字集成电路的发展及方向[J];电子计算机参考资料;1970年04期
7 川望;;2.数字集成电路[J];微电子学;1973年03期
8 ;一米七工程常用数字集成电路型号对照表[J];冶金自动化;1980年02期
9 龚世耀;数字集成电路的自动扫描测试[J];实验室研究与探索;1990年02期
10 苏成富;;数字集成电路的使用问题[J];电工技术;1995年06期
中国重要会议论文全文数据库 前5条
1 陈大为;吴京燕;;数字集成电路测试设备量值溯源技术研究[A];加入WTO和中国科技与可持续发展——挑战与机遇、责任和对策(上册)[C];2002年
2 杨志;吕涛;李华伟;李晓维;;数字集成电路设计错误的静态检测系统[A];第十四届全国容错计算学术会议(CFTC'2011)论文集[C];2011年
3 徐拾义;;大规模数字集成电路标准矩阵功能测试新方法[A];第三届中国测试学术会议论文集[C];2004年
4 陆卫国;魏微;王铮;;SARADC数字模块的设计——CBIC技术在核电子学中的应用探索[A];第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册)[C];2012年
5 李景平;陈光(礻禹);谢永乐;;数字集成电路可测性分析的一种软件实现[A];2004全国测控、计量与仪器仪表学术年会论文集(上册)[C];2004年
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 山东 郑茂欣;判断数字集成电路损坏的检测简法[N];电子报;2006年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 刘煜坤;数字集成电路测试方法研究[D];哈尔滨理工大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 宋伟;抗辐射加固数字集成电路IO库设计[D];西安电子科技大学;2015年
2 李军;数字集成电路老化建模与防护技术研究[D];合肥工业大学;2015年
3 陈玲;数字集成电路老化测试技术研究[D];安徽理工大学;2016年
4 李冠明;金属氧化物TFT在数字集成电路中的应用研究[D];华南理工大学;2016年
5 陈明亮;数字集成电路自动测试硬件技术研究[D];电子科技大学;2010年
6 蒋文栋;数字集成电路低功耗优化设计研究[D];北京交通大学;2008年
7 刘林;数字集成电路功能验证中的变异测试方法研究[D];山东大学;2011年
8 李鹏;数字集成电路漏电流功耗估计技术研究[D];国防科学技术大学;2007年
9 江丽君;数字集成电路故障模型研究及故障注入平台设计[D];哈尔滨工业大学;2013年
10 刘田踪;数字集成电路测试仪通信接口的研究与设计[D];电子科技大学;2011年
,本文编号:680431
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/680431.html