热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析

发布时间：2017-08-16 11:02

  本文关键词：热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析

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【摘要】：基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力,为封装体中的关键微铜柱凸点;累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧,在其外侧位置最大,向内侧逐渐减小,这表明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧,向内侧扩展,试验结果与模拟结果相一致.
【作者单位】： 河南工业大学机电工程学院;华中科技大学武汉光电国家实验室;
【关键词】： 倒装芯片封装 微铜柱凸点 累积塑性应变能密度 失效行为
【基金】：国家自然科学基金资助项目(U1504507) 河南省科技攻关资助项目(162102410018)
【分类号】：TN405
【正文快照】： 0序言为满足电子产品微型化、便携化和多功能化的市场需要,微电子封装向着高密度化方向发展[1],尤其是代表封装密度最高的倒装芯片封装,促使倒装焊点的间距和尺寸连续减小.然而,对于应用最为成熟的倒装球形焊点,随着间距减小,相邻球形焊点易发生桥连短路,并且由于相邻焊点间空

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本文编号：682892