6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）

发布时间：2017-08-16 12:19

  本文关键词：6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）

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【摘要】：激光微加工是半导体精密加工的一个有效方法。对于碳化硅(SiC)单晶,使用紫外波段激光可以获得对入射能量最大的吸收效率。使用355nm全固态激光器对6H-SiC单晶进行刻蚀。同时将样品置于不同的介质下以探究最优加工条件。使用拉曼光谱表征激光刻蚀后的SiC表面。刻蚀后表面主要由无定形硅及纳米晶石墨组成,对于空气下刻蚀的SiC晶片,无定形硅主要分布于刻蚀坑的周围,刻蚀坑内较少。而在液体下刻蚀的样品,无定形硅的空间分布相反。通过分析残留在表面的物质,在另一角度研究了激光刻蚀的反应机理。对于液体辅助的激光加工,以往的研究主要关注液层的厚度及粘度,对液体还原性的研究很少。为确定液体还原性的影响,使用共聚焦激光扫描显微镜及能量色散谱检测了不同液体辅助加工样品的表面形貌及氧含量。结果表明,液体还原性在激光刻蚀过程中有着较大的影响,使用有着还原性的液体作为介质可以有效减少表面氧化并获得更规则的表面形貌。
【作者单位】： 山东大学晶体材料国家重点实验室;
【关键词】： 碳化硅 激光刻蚀 拉曼光谱 能量色散谱
【基金】：National Basic Research Program of China under Grant(2011CB301904) Natural Science Foundation of China under Grant(11134006and 51321091)
【分类号】：TN305.7;O657.37
【正文快照】： Introduction　　Silicon　carbide(SiC)single　crystal　has　received　increas-ing　attention　in　the　industry　of　microelectronics　and　microelec-tromechanical　systems(MEMS).Its　exceptional　properties,such　as　wide　band-gap,high　breakdown　thres

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本文编号：683241