Li原子在ZnTe晶体中迁移行为的第一性原理研究

发布时间：2017-08-17 22:08

  本文关键词：Li原子在ZnTe晶体中迁移行为的第一性原理研究

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【摘要】：该文采用密度泛函理论的广义梯度近似方法计算了Li原子在II-VI半导体碲化锌中可能稳定存在间隙位置的嵌入能.计算表明,Li原子在ZnTe中最稳定存在位置位于四个Te原子所构成的四面体的中心,四个Zn原子所构成的四面体间隙位的嵌入能相对稍大,是次稳定存在位置.利用Nudged Elastic Band(NEB)方法计算了单个Li原子在ZnTe半导体中可能的迁移路径和迁移能垒,迁移路径沿着晶体的[111]或等效方向,成锯齿状,迁移能垒为0.28e V.
【作者单位】： 南京晓庄学院电子工程学院;南京师范大学物理科学与技术学院;
【关键词】： Li原子 ZnTe 迁移行为 密度泛函理论
【基金】：江苏省高校自然科学基金资助项目(13KJD140002)
【分类号】：TN304.25;O641.1
【正文快照】： 0引言宽禁带II-VI族半导体因为特有的禁带宽度和较高的光吸收系数在太阳能电池、红外探测器、发光二极管等方面有着重要的应用.碲化锌为直隙半导体,2K时的禁带宽度为2.394e V,室温下为2.26e V.本征Zn Te半导体电阻率高,通常情况下,p型掺杂的Zn Te容易做到,第一主族元素和第一

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