氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

发布时间：2017-08-18 05:12

  本文关键词：氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

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【摘要】：采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。
【作者单位】： 京东方科技集团股份有限公司;
【关键词】： 铟镓锌氧薄膜晶体管 氧分压 阈值电压漂移 电子积累层
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： (BOE Technology Group Co.,Limited,Beijing100176,China)1引言目前,在传统显示领域TFT有源层材料主要为a-Si,LTPS,IGZO。a-Si材料基板工艺制程相对简单,但是载流子迁移率较低,在高分辨,窄边框和低功耗的液晶显示发展趋势中逐渐失去竞争优势,更难以在OLED中应用。LTPS载流子

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本文编号：692812