EUV光刻工艺全球专利发展态势研究
发布时间：2017-08-21 17:15
本文关键词：EUV光刻工艺全球专利发展态势研究
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【摘要】：EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展战略的制定提供参考和帮助。
【作者单位】： 国家知识产权局专利局电学发明审查部;
【关键词】： EUV EUVL 极紫外 极紫光 光刻 微影
【分类号】：TN305.7;G306
【正文快照】： 随着对集成电路(〖C)密度和性能要求的不断提高,进一步降低图形的线宽成为了1C制造技术中的关键因素,同时也是衡量1C技术发展高度的重要指标,因此需要相应地提高图形光刻技术的精度。然而,在半导体器件的关键尺寸不断缩小的同时,图形光刻技术也面临着越来越多的挑战。目前比较
【参考文献】
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1 山口佳一;征矢野晃雅;\龌，
本文编号：714122
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