宽禁带半导体器件研究现状与展望

发布时间：2017-08-23 22:47

  本文关键词：宽禁带半导体器件研究现状与展望

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【摘要】：电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。
【作者单位】： 多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室;
【关键词】： 宽禁带半导体器件 碳化硅 氮化镓
【基金】：教育部博士点基金资助项目(20123218120017) 南京航空航天大学青年科技创新基金(理工类)(NS2015039) 江苏高校优势学科建设工程资助项目
【分类号】：TN303
【正文快照】： 朱梓悦女1992年生,研究生,研究方向为碳化硅功率器件应用技术、功率变换技术。秦海鸿男1977年生,博士,副教授,研究方向为碳化硅功率器件应用技术、功率变换技术和电机控制。1引言随着能源问题的日益凸显,电源、电动汽车、工业设备和家用电器等设备中功率变换器的性能提升变得

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本文编号：727762