SiC功率开关管短路特性分析及保护综述

发布时间：2017-08-24 12:32

  本文关键词：SiC功率开关管短路特性分析及保护综述

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【摘要】：为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路检测及保护方法进行了对比分析和归纳,最后进一步探讨和总结了SiC开关管短路能力及短路保护中存在的问题。
【作者单位】： 南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室自动化学院;河海大学江苏省输配电装备技术重点实验室物联网工程学院;
【关键词】： 碳化硅 功率器件 短路特性 短路保护
【基金】：国家自然科学基金项目资助(51277095) 教育部博士点基金项目资助(20123218120017) 中央高校基本科研业务费专项资金项目资助(NS2015039;NS20160047) 江苏高校优势学科建设工程项目资助
【分类号】：TN386
【正文快照】： 与硅器件相比,碳化硅(Sillicon Carbide,SiC)器件具有通态电阻低、开关速度快、热导率高等性能优势[1],有利于提高变换器的效率和功率密度,在工业[2-3]、高温高频[4-8]、可再生能源发电[9]等场合中已取得初步应用。然而,在实际应用中,功率器件不可避免地要工作在过载、短路等

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本文编号：731331