异质诱导生长的酞菁铜薄膜晶体管的研究

发布时间：2017-08-25 02:30

  本文关键词：异质诱导生长的酞菁铜薄膜晶体管的研究

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【摘要】：因酞菁薄膜平面具有多电子共轭大π键结构,本文采用异质诱导的方式对酞菁薄膜的生长特性进行了改善研究。采用高掺杂硅为栅极,氧化硅为绝缘层,生长α-四噻吩或p-六联苯薄膜为异质诱导层,制备了酞菁铜有机薄膜晶体管。利用原子力显微镜研究薄膜生长特性,并对比研究了2种诱导层对薄膜晶体管性能的影响。实验结果表明:α-四噻吩上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈片状,而p-六联苯上生长的酞菁铜薄膜,形貌呈针状,均与单层酞菁铜棒状形貌不同。同时,α-四噻吩与p-六联苯薄膜上生长酞菁铜后,两者晶体管电性能都有不同程度的提高,均比单层酞菁铜提高了1~2个数量级,表明α-四噻吩或p-六联苯对酞菁铜薄膜均有诱导效应,可以获得高性能的有机薄膜晶体管。
【作者单位】： 长春工业大学化学工程学院;长春理工大学理学院;
【关键词】： α-四噻吩 p-六联苯薄膜 酞菁铜 有机薄膜晶体管 诱导效应
【基金】：国家自然科学基金资助项目(No.21403016) 吉林省科技发展计划资助项目(No.20130102065JC;20140203018GX)~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： (1.College of Chemical Engineering,Changchun University of Technology,Changchun130012,China;2.College of Science,Changchun University of Science and Technology,Changchun130022,China)1引言有机薄膜晶体管由于具有柔性、廉价、成本低等优势,在平板显示、逻辑电路

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