背照式CCD量子效率的工艺仿真研究

发布时间：2017-08-30 06:40

  本文关键词：背照式CCD量子效率的工艺仿真研究

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【摘要】：使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;
【关键词】： 背照式CCD 背面工艺 量子效率 工艺仿真
【分类号】：TN386.5
【正文快照】： 0引言背照式感光可避免栅电极和介质层对入射光的吸收,已成为制作高量子效率CCD的主要手段。为了实现背面进光,需减薄CCD至特定厚度。减薄后的硅片表面裸露在空气中会生长自然氧化层,其生长过程中会在硅-二氧化硅界面引入大量界面陷阱[1],这些陷阱会捕获光生电子,降低器件的量

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本文编号：757825