砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用

发布时间：2017-08-31 08:18

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【摘要】：由于半导体材料硅Si在物理特性上的先天限制,仅能应用在1GHz以下的工作频率。砷化镓GaAs主要用于微波功率器件,即工作在微波波段(频率300-300 000MHz之间)的半导体器件。氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV,成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。本文介绍了国内外砷化镓GaAs、氮化镓GaN材料的发展趋势。
【关键词】： 半导体材料 砷化镓GaAs 氮化镓GaN
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料,是半导体工业的基础。随着新的半导体材料出现、电力电子技术进步与制作工艺的提高,半导体在过去经历了三代变化。砷化镓(Ga As)和氮化镓(Ga N)半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表,相比第一代半导体硅(Si)价格更加昂贵

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