金属封装VDMOS器件常见封装缺陷及控制

发布时间：2017-08-31 09:39

  本文关键词：金属封装VDMOS器件常见封装缺陷及控制

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【摘要】：金属封装VDMOS器件在军事以及航天领域应用广泛。芯片烧结、引线键合和平行缝焊是封装的三个主要工序,直接影响封装的成品率和器件长期可靠性。针对三大工序中常见的缺陷进行了描述和分析,并分别提出了控制措施和建议。
【作者单位】： 中国空间技术研究院北京卫星制造厂;
【关键词】： 金属封装 VDMOS器件 缺陷
【分类号】：TN386
【正文快照】： 半导体功率器件是电力电子领域的重要元器件封装方面得到了广泛的应用。件,以VDMOS为典型代表的半导体功率器件是如今电力电子器件领域的主流器件,它在大功率开关和功率放大器等领域中的应用日渐广泛[1]。图1为VDMOS元胞界面示意图。晶圆片的背面金属为VDMOS的漏极,后续封装是

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本文编号：764846