扩散阻挡层用WTi合金的制备及其表征

发布时间：2017-09-02 17:15

  本文关键词：扩散阻挡层用WTi合金的制备及其表征

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【摘要】：WTi合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能和抗氧化性能,已被成功地应用于半导体器件的扩散阻挡层。迄今为止,中国大量半导体行业用靶材仍从国外进口。因此,通过研究靶材制备工艺及性能的关系,制备出高密度、高纯度、富钛相β1(Ti,W)少的WTi合金靶材,不仅能够把握相关领域发展方向,并且具有十分可观的市场前景。本文用行星球磨的方式对Ti、W粉末进行预处理及混合,得到不同粒度组成的混合粉末,用真空热压法对粉末进行成型,制备得到的WTi10合金。利用X射线衍射仪(XRD)、金相和扫描电子显微镜(SEM)分析混合粉末的粒度组成,并对合金的结构和形貌进行分析,采用排水法及ICP测试仪,分析合金的密度及杂质含量。结果表明,在温度1 200℃,压力30 MPa的真空热压条件下,制备得到的4个样品均已形成体心立方β相的WTi固溶体。且混粉球磨时间对WTi固溶体的峰位及峰强没有影响。但粉末混合球磨时间对热压后合金的微观组织形貌影响较大,随着混粉时间的延长,富钛相β1呈先减少后增加的趋势,混粉3 h的热压得到的样品黑色富Ti固溶体相区域最少,性能最优,合金的密度均达到理论密度的99.48%,纯度99.97%。采用该方法制备得到的WTi10合金可用于磁控溅射制备WTi扩散阻挡层。以上研究为真空热压法制备半导体行业用钨钛靶材的研究提供一定的基础研究数据。
【作者单位】： 昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室;
【关键词】： 扩散阻挡层 WTi 真空热压 相组成 微观结构
【基金】：国家重点实验室开放课题资助项目(SKL-SPM-201528) 国家青年科学基金资助项目(51501077)
【分类号】：TN303;TG146.411
【正文快照】： 0引言随着微电子科学技术的发展,微电子器件向更小尺寸,更高精度发展,对阻挡层薄膜的要求越来越高。在现代半导体器件制作过程中,主要采用传统的Al、Cu、Ag作为金属互联材料[1]。由于Al、Cu、Ag会向介质层Si或Si O2中扩散形成高阻的金属硅化物,使连线中的电流密度大幅下降,导

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