用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜

发布时间：2017-09-02 20:31

  本文关键词：用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜

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【摘要】：在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料。在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比。而不同配比对于氮化硅掩膜的刻蚀速率也不一样。分别用PECVD和LPCVD两种方法在〈111〉型硅片上沉积了厚度为560和210nm的氮化硅薄膜,研究和对比了它们在8种典型配比刻蚀液下的刻蚀速率,为合理制作所需要厚度的氮化硅掩膜提供有益参考。
【作者单位】： 上海交通大学电子信息与电气工程学院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海市北斗导航与位置服务重点实验室;
【关键词】： 各向同性刻蚀 掩膜 氮化硅 刻蚀速率
【基金】：国家自然科学基金项目(61574093) 航空基金项目(2013ZC57003) 教育部新世纪优秀人才计划项目(NCET-10-0583)
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言在硅片上刻蚀三维立体结构的工艺已经越来越成熟,湿法刻蚀因其低成本而应用的尤其广泛[1-3]。对于一些各向同性刻蚀的结构,比如半球式凹槽[4-5]、高深宽比的微针[6]等,一般需要在HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)中进行刻蚀[7]。基于HNA溶液具有极强的腐蚀特性,

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本文编号：780758