双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响

发布时间：2017-09-07 22:18

  本文关键词：双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响

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【摘要】：双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大.
【作者单位】： 华南理工大学电子与信息学院;
【关键词】： 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274085)~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 与传统非晶硅薄膜晶体管(TFTs)相比,非晶In Ga Zn O(a-IGZO)TFTs因能在接近室温条件下制备、有较高的迁移率及柔性等优点而逐渐应用于高速和高分辨率的有源矩阵液晶显示器及柔性透明有源矩阵有机发光二极管显示器[1-5].为进一步提高器件性能和在电路中的驱动能力,近年来双栅(D

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