四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜（英文）

发布时间：2017-09-08 03:35

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【摘要】：为了提高在硅基上外延砷化镓薄膜的质量和实验的可重复性,我们提出了一种叫做四步生长法的新方法,该方法是通过在低温成核层和高温外延层中间先后插入低温缓冲层和高温缓冲层实现的。通过此方法,可以制备出表面具有单畴结构、在强白光下依然光亮如镜、粗糙度低且缺陷少的高质量砷化镓薄膜,而且此方法的重复性很好。即便没有任何生长后的退火处理,外延出的1μm厚砷化镓薄膜在5μm×5μm扫描区域内的表面粗糙度只有2.1 nm,且由X射线双晶衍射测试出的砷化镓(004)峰的半高宽只有210.6 arcsec。
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室;
【关键词】： 硅基砷化镓 四步生长法 缓冲层 分子束外延
【基金】：National Basic Research Program of China(2013CB632104)
【分类号】：TN304.23
【正文快照】： Compared with GaA s substrates,Si substrates have such advantages as larger size,lower cost,better mechanical strength,and higher thermal conductivity.In addition,due to the potential integration of well-developed Si integrated circuit technology with Ga

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3 沈仁s，

本文编号：811650