一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源

发布时间：2017-09-09 18:40

  本文关键词：一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源

  更多相关文章： 带隙基准 高电源抑制比 低噪声 电源抑制比增强级 低通滤波器

【摘要】：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃,带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放加入电源抑制比增强级电路提高中低频范围PSRR性能,在电路输出端再引入低通滤波器电路以提高中高频范围PSRR性能,并且低通滤波器有助于降低整个电路的噪声。采用Spectre软件进行仿真,结果显示,电源抑制比为-130.4@dc,-77.6@100KHz,输出噪声为24.8n V@100KHz。该带隙基准源电路非常适合于应用在高电源电压抑制比、低噪声的LDO电路中。
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【关键词】： 带隙基准 高电源抑制比 低噪声 电源抑制比增强级 低通滤波器
【分类号】：TN432
【正文快照】： 0引言随着平板电脑、触屏手机、智能手环等便携电子产品的广泛流行,高电源抑制比(power supplyrejection ratio,PSRR)、低噪声、低温度系数的低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)已经成为研究热点,其中,对于LDO电路中基准的温度系数已经报道了很多[1],然而,如何抑制

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本文编号：822110