SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究

发布时间：2017-09-09 21:41

  本文关键词：SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究

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【摘要】：本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率。
【作者单位】： 郑州工业应用技术学院;
【关键词】： 固结磨料 SiC晶体 化学机械抛光 材料去除率
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 0引言目前市场上的6H-Si C单晶片主要用于LED照明,其在LED领域的强大市场牵引力将促使其取代Si成为第三代半导体衬底材料。由于Si C单晶体本身具有较高的硬度和较强的化学稳定性,化学机械抛光技术(chenmical mechanicalpolishing,CMP)是目前唯一能够实现Si C单晶体全局平坦化(

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