碳化硅半导体SiC在功率器件领域的应用

发布时间：2017-09-10 20:03

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【摘要】：以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(Silicon Carbide)为材料制作的功率半导体器件,因其所具备的优异性能与先进性,多年来备受瞩目,已逐步渗透到生活中。本文分析了SiC肖特基二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块,以及SiC的扩展产品IGBT和IPM的器件特性。
【关键词】： 半导体材料 碳化硅半导体SiC 功率器件
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体功率元器件领域,ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(Si C)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件

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2 ;煤矿地面生产系统应用硅半导体逻辑元件集控装置[J];电气传动;1972年02期

3 申泽骧;显微拉曼在硅半导体器件表征中的一些重要应用(英文)[J];光散射学报;2003年04期

4 胡剑书;;半导体桥多晶硅工艺优化[J];微电子学;2010年04期

5 ;经济的砷化镓芯片[J];电子机械工程;1988年05期

6 ;用在硅半导体工艺中的清洗溶液[J];移动通信;1971年02期

7 雷霆;国外硅材料技术发展水平及生产、市场现状[J];材料导报;1992年04期

8 马瑾;宋学文;;GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用[J];山东大学学报(自然科学版);1990年03期

9 ;硅半导体特性的发现及硅器件发展及应用的曲折经历[J];中国集成电路;2006年07期

10 史尚钊,孟繁萍;微波对n型硅半导体材料中PN结扩散的加速作用[J];洛阳工业高等专科学校学报;1997年03期

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2 汝琼娜;李光平;何秀坤;李静;;硅中氧、碳微区测量技术的研究[A];第五届华北、东北地区理化会议论文集[C];1993年

3 袁俊谦;王永昌;仇九子;杨景康;;用硅半导体探测器测量快中子平均能量的方法[A];第五次全国核电子学与核探测器学术会议论文集（下）[C];1990年

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1 陈丹;石墨烯或将“接班”硅半导体[N];中国化工报;2014年

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