双极性忆阻器模型参数对蕴含逻辑门的影响

发布时间：2017-09-10 23:18

  本文关键词：双极性忆阻器模型参数对蕴含逻辑门的影响

  更多相关文章： 阈值 忆阻器模型 蕴含逻辑门 状态漂移 运算速度 功率损耗

【摘要】：首先深入分析了具有阈值特性的双极性忆阻器模型的阈值电压和高低阻态开关特性,然后基于此模型设计了蕴含逻辑门电路,该设计有效解决了由线性漂移忆阻器模型构建的蕴含逻辑门电路存在的状态漂移问题。最后分别研究了忆阻值变化快慢参数(β)、阈值电压(V_t)和高低阻态阻值比率(a)对蕴含逻辑门电路运算速度和功率损耗的影响。理论分析和电路仿真表明,β增大或V_t和a减小,电路运算速度提高;β增大或a减小,电路功耗减少,V_t对电路功耗影响很小。研究成果为进一步设计运算速度更快、功耗更低的全加器和多路器等逻辑电路提供理论依据。
【作者单位】： 空军工程大学理学院;
【关键词】： 阈值 忆阻器模型 蕴含逻辑门 状态漂移 运算速度 功率损耗
【基金】：国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61401498) 陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8343)
【分类号】：TN791
【正文快照】： 0引言1971年,L.O.Chua教授[1]根据电路理论的完备性,首次提出忆阻器的概念,并将其定义为磁通与电荷之比。忆阻器是继电阻、电容和电感之后的一种新型非线性电路元件,具有许多突出的优点[2-4]:纳米级特征尺寸、非易失性、能耗低、工作速度快、高低阻态开关特性以及与CMOS工艺兼

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