2～5GHz宽带CMOS低噪声放大器设计

发布时间：2017-09-11 10:22

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【摘要】：低噪声放大器(LNA)是无线通信系统的重要组成部分。采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一款能够满足LTE和802.11 b/g/e等多种无线通信应用标准的2~5 GHz的宽带CMOS LNA。为了实现宽带输入匹配与足够大的宽带功率增益,并在有限的功耗下获得较低的噪声系数,设计的LNA使用了两级电阻反馈、电流复用结构和噪声消除技术。后仿真结果表明,在1.5 V直流电源供电下,电路功耗仅9.03 m W,低噪声放大器芯片核心面积仅为0.76 mm×0.81 mm,在2~5 GHz频段内,噪声系数为2.46~2.73 d B,功率增益大于16.7 d B,输入输出反射系数均低于-10 d B。因此,所设计的低噪声放大器,性能优良,适用于低噪声、低功耗的宽带无线通信产品。
【作者单位】： 广西师范大学电子工程学院;
【关键词】： 低噪声放大器(LNA) 互补金属氧化物半导体(CMOS) 宽带 噪声抵消技术 版图
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61361011)
【分类号】：TN722.3
【正文快照】： 0引言随着无线通信技术和通信标准的快速发展,对无线通信系统的性能要求也越来越高。低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)是信号接收机中的一个关键模块,主要功能是在一定的信噪比(SNR)要求下,把过滤之后的射频信号进行适当放大,以供后续电路进行处理。对LNA性能的要求包括

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本文编号：830170