硅时代的半导体革新

发布时间：2017-09-11 20:31

  本文关键词：硅时代的半导体革新

  更多相关文章： 氮化镓 替代过程 硅器件 禁带 半导体工业 社会关注度 宽禁带半导体 器件技术 代际差别 金属导体

【摘要】：然而这类主要是工业应用市场现有的硅器件的替代过程,在专业领域之外,得到的社会关注度不高。只能说是一场静悄悄的技术革新。一个可能的例外,是高频氮化镓器件,可望在未来催生一个广受关注的医用植入装置的无线充电市场。
【关键词】： 氮化镓;替代过程;硅器件;禁带;半导体工业;社会关注度;宽禁带半导体;器件技术;代际差别;金属导体;
【分类号】：TN304
【正文快照】： 、亡年来,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)近$者说“宽禁带半导体”材料器件,吸引了很多政府和产业界的关注,在后摩尔定律时期投资界眼中曰趋冷寂的半导体工业中,成为为数不多的热门领域之一。半导体的代际差别进步的依据和意义是什么?为什么要用到宽禁带材料?作者在这里从一个特

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2 郑冬冬;;2011年GaN LED市场有望增长38%达108亿美元[J];半导体信息;2011年04期

3 J.I.Pankove,E.R.Levin,张志舜;用扫描电子显微镜对氮化镓的研究[J];国外发光与电光;1977年02期

4 ;氮化镓研究综述[J];激光与光电子学进展;1997年04期

5 韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,陆大成,王占国;氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)[J];发光学报;2001年S1期

6 袁明文;发展氮化镓集成电路的考虑[J];微纳电子技术;2003年06期

7 黄萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴;管式电炉合成氮化镓晶粒的研究[J];微纳电子技术;2003年11期

8 李忠,魏芹芹,杨利,薛成山;氮化镓薄膜的研究进展[J];微细加工技术;2003年04期

9 郑冬冬;;氮化镓极性控制技术[J];半导体信息;2003年06期

10 程文芳;;雷声公司氮化镓半导体技术通过关键测试[J];半导体信息;2007年05期

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2 陈振;刘祥林;王晓晖;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度;王占国;;(1102)面蓝宝石衬底上生长氮化镓研究[A];2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年

3 徐凯宇;唐s，

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